Физические основы электроники
Министерство Российской Федерации по связи и информатизации Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики В.Л. Савиных
Министерство Российской Федерации по связи и информатизации Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики В.Л. Савиных
СОДЕРЖАНИЕ Введение 3 Синтез углеродных алмазоподобных пленок ионным методом 3 Метод ионно-лучевого осаждения 3 Описание установки 6 Характеристики ионного источника 8
СОДЕРЖАНИЕ Введение 4 1 Обоснование технических решений 6 2 Конструкторская часть 8 2.1 Назначение 8 2.2 Принцип действия 8 2.3 Конструкция печатной платы программатора 16
Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ (ТУСУР)
ЗАДАНИЕ НА КУРСОВУЮ РАБОТУ 1. Привести краткую характеристику используемой аппаратуры и основные технические данные.2. Выбрать число узловых и промежуточных станций. Определить длину всехпролетов. Разработать структурную схему линий.
МИНИСТЕРСТВО ТРАНСПОРТА УКРАИНЫ Днепропетровский государственный технический универcитет железнодорожного транспорта курсовая работа
Приложения Рис. 3. Схема сборки веерного типа Рис. 4. Схема сборки с базовой деталью Рис. 5. Схема сборки (а) и разрез ИС (б) в круглом корпусе: 1(балон; 2(соединительные проводники; 3(кристалл; 4(контактные площадки;
Содержание Введение 1. Основная часть 1.1 Схемотехническая часть 1. Перечень элементов 2. Описание работы используемых элементов 3. Описание работы схемы
Техническое задание №6. Схема логики ИЛИ-НЕ на биполярных транзисторах. Технология планарно-эпитаксиальная, изоляция элементов слоем n-полупроводника.
[pic] Министерство высшего образования РФ Уральский Государственный Технический Университет — УПИ Кафедра «Технологии и Средств Связи» Трансформатор питания РЭА